台积电获美国116亿美元赠款!将产2nm及更先进芯片

　　芯东西4月9日报道，北京时间4月8日，台积电与美国商务部宣布签署一项不具约束力的初步协议（PMT），台积电将根据美国《芯片和科学法案》获得高达66亿美元的直接资助，以及高达50亿美元的贷款，将在凤凰城建设第3家晶圆代工厂，到2023年生产2nm或更先进芯片。

　　第三家芯片工厂建设将使台积电在亚利桑那州的总投资增加到650亿美元，促就亚利桑那州史上最大的海外直接投资。AMD董事长兼CEO苏姿丰、英伟达创始人兼CEO黄仁勋、苹果公司CEO库克都对台积电这笔历史性投资表示祝贺。

　　美国白宫网站还专门发布了《美国总统拜登就与台积电就芯片和科学法案初步协议发表声明》，足见兹事重大。

　　台积电在亚利桑那州的第一家晶圆厂Fab 21一期将于2025年上半年开始生产，生产4nm FinFET技术。（台积电美国工厂Fab21上机仪式在2022年12月举行）

　　第二个晶圆厂Fab 21二期将生产世界上最先进的2nm工艺技术，除了此前宣布的3nm技术外，还将采用下一代nanosheet晶体管技术，2028年开始生产。

　　第三家晶圆厂将采用2nm或更先进工艺来生产芯片，并将到2030年开始生产。

　　在满负荷运转的情况下，台积电亚利桑那州的三个晶圆厂将生产数千万个顶尖芯片，为5G/6G智能手机、自动驾驶汽车和人工智能（AI）数据中心服务器等产品提供动力。

　　与台积电所有先进的晶圆厂一样，这三个晶圆厂的洁净室面积约是工业标准逻辑晶圆厂的2倍。

　　三家芯片工厂合计将创造超过2.5万个直接建筑和制造业就业机会，以及数千个间接就业机会。

　　台积电亚利桑那州晶圆厂的目标是实现90%的水循环利用率。台积电已开始设计建设一个工业水回收厂，以实现“接近零液体排放”，使几乎每一滴水都回到设施中。

　　除了建议66亿美元的直接资助外，PMT还建议向台积电提供高达50亿美元的贷款。台积电计划申请美国财政部的投资税收抵免，最高可达台积电亚利桑那州合格资本支出的25%。

　　对比之下，上个月，英特尔根据美国芯片法案获得85亿美元直接资助、110亿美元贷款、25%的税收抵免，最高可达1000亿美元的合格资本支出。

　　台积电仍致力于其长期财务目标，即以美元计算的收入复合年增长率为15-20%，毛利率为53%及更高，净资产收益率为25%及更高。

　　“《芯片与科学法案》为台积电提供了前所未有的投资机会，并为我们在美国提供最先进的制造技术的代工服务，”台积电董事长刘德音说，“我们的美国业务使我们能够更好地支持我们的美国客户，其中包括几家世界领先的科技公司。我们在美国的业务也将扩大我们的能力，引领半导体技术的未来发展。”

　　“我们很荣幸能够支持我们在移动、AI和高性能计算领域的先驱客户，无论是在芯片设计、硬件系统还是软件、算法和大语言模型方面，”台积电总裁魏哲家博士说，“他们是创新者，推动了对台积电所能提供的最先进芯片的需求。作为他们的晶圆代工合作伙伴，我们将通过台积电亚利桑那州提高顶尖技术的产能，帮助他们释放创新。迄今为止，我们对亚利桑那州工厂的进展感到兴奋，并致力于其长期成功。”